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IBM搞定5nm芯片工藝 可放置300億晶體管
來源:聯(lián)想資訊    日期:2017-06-08    瀏覽量:        
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標(biāo)簽:IBM,芯片,

     IBM及其合作伙伴已開發(fā)出新的5nm測試芯片,其具有新的制造工藝的優(yōu)點。包含約300億個晶體管的新芯片是通過堆疊硅納米片來創(chuàng)建的。它能夠在設(shè)備上提供幾乎兩倍的電池存儲,并顯著提高性能。

IBM搞定5nm芯片工藝 可放置300億晶體管

  IBM與研發(fā)聯(lián)盟的合作伙伴一起開發(fā)了一種新的5nm芯片,與目前市場上可用的10nm芯片相比,在相同的功率下將性能提高了40%。

  這一次,IBM并沒有去用FinFET(鰭場效應(yīng))制造,而是堆疊硅納米片作為晶體管的器件結(jié)構(gòu),被稱為GAA(全包圍柵極)晶體管。在5nm指甲尺寸的測試芯片裝了300億個晶體管。

IBM搞定5nm芯片工藝 可放置300億晶體管

  他們使用的方法稱為極紫外光刻(EUV)。兩年前,他們使用相同的方法創(chuàng)建了一個具有200億個晶體管的7nm測試節(jié)點。

  除了設(shè)備尺寸縮小之外,這些仍然遠(yuǎn)未被商業(yè)化的芯片可以幫助我們?yōu)镮oT設(shè)備實現(xiàn)更美好的未來,加速認(rèn)知計算,增強(qiáng)基于云的應(yīng)用,并且可能是移動設(shè)備電池輸出的兩倍。

  根據(jù)IBM的說法,他們最新的進(jìn)展,為具有高于基于FinFET性能的堆疊納米芯片裝置打開了方便之門,已經(jīng)成功地證明了這種設(shè)備的可行性。

IBM搞定5nm芯片工藝 可放置300億晶體管

  IBM指出,“使用EUV光刻技術(shù),可以在單個制造處理器芯片設(shè)計中連續(xù)調(diào)整納米片的寬度。這種可調(diào)性允許對特定電路的性能和功耗進(jìn)行微調(diào),這在今天的FinFET晶體管架構(gòu)生產(chǎn)中是不可能的,這受到其載流鰭片高度的限制。”

  IBM認(rèn)為目前的FinFET技術(shù)對于創(chuàng)建5nm芯片而言效率低下。

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